行业动态：默克张家港技改加码ALD前驱体，升级钽源提纯工艺；钼源前驱体MoO₂Cl₂项目落成

凡远光电 2026-10-26 | 阅读：62

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最近，位于江苏扬子江国际化学工业园内全球科技巨头德国默克集团“投资打造的半体一体化基地已正式投产。

受AI芯片产业拉动，ALD/CVD半导体前驱体市场需求快速攀升。二氯二氧化钼（MoO₂Cl₂）为AI芯片关键新材料，钼、钌、钨、锆、铌等新型金属前驱体，重点用于选择性金属化和3D NAND器件。

默克将半导体材料为电子科技业务核心增长曲线，通过张家港基地实现关键材料本土化制造。日前竣工的默克电子科技（张家港）半导体前驱材料扩建及技改项目公开信息显示，项目总投资4145万元。本项目是继2024年年产85吨半导体前驱体项目之后，又一轮本土化升级动作。

重点针对钽源PDMAT产线新增升华提纯工序，降低产品微量金属杂质，提升该ALD阻挡层前驱体纯度，适配国内先进制程晶圆厂严苛指标要求，减少进口依赖，服务国内逻辑、存储芯片先进制程；同时扩充硅系前驱体产品矩阵。项目兼顾产能扩张、纯度提升与安全生产升级，代表海外半导体材料企业加速在中国落地高纯度前驱体的趋势。

技改内容：①扩建A-松油烯（ATRP）60t/a、二乙氧基甲基硅烷（DEMS）40t/a、有机硅氧烷（APHP）20t/a。②对现有五-二甲基氨钽(PDMAT)进行工艺技改，产能不变（1t/a）。③现有氨基硅烷（B）产线产能由23t/a减少13t/a，新增氨基硅烷（C）产能13t/a。产品主要应用于台积电、三星电子、中芯国际等下游半导体芯片的薄膜沉积工艺。

现有五-二甲基氨钽（PDMAT）产线只有分装工艺，本次技改增加升华工序物理提纯，通过升华工序物理提纯，进一步降低金属杂质含量，从10ppm降低至1ppm，进而提升产品品质。

项目产品纯度一览表

序号	产品名称	指标名称	指标数值	产品用途
1	A-松油烯(ATRP)	纯度	≥99.999%	主要应用于台积电、三星电子、中芯国际等下游半导体芯片的薄膜沉积工艺。
2	二乙氧基甲基硅烷(DEMS)	纯度	≥99.999%
3	有机硅氧烷(APHP)	纯度	≥99.999%
4	五-二甲基氨(PDMAT)	纯度	≥99.999%
5	氨基硅烷(A)	纯度	≥99.999%
6	氨基硅烷(B)	纯度	≥99.999%
7	氨基硅烷(C)	纯度	≥99.999%

同时，10月22日，默克在韩国恩城工厂举行了钼源前驱体MoO₂Cl₂生产基地落成典礼。

芯片制程不断向微型化演进，存储芯片堆叠层数持续走高，如何降低布线电阻、在复杂高深结构内生成均匀的金属薄膜，已经成为制约先进半导体制造的核心难题。

当传统钨、铜布线材料逐渐遇到性能瓶颈。在极度微缩的线路结构里，电子传输受阻、发热加剧，直接造成芯片工作效率衰减。而钼前驱体，正是破解这一行业痛点的下一代核心材料。

对于3D NAND而言，存储容量的提升高度依赖存储单元的垂直堆叠。堆叠层数越高，在幽深狭窄的孔道结构内实现均匀成膜的难度就越大，市场迫切需要兼具低阻抗、优异阶梯覆盖率的全新材料。钼源前驱体应用场景广阔，除3D NAND之外，同样适配DRAM存储器与先进逻辑芯片工艺。

默克电子首席执行官Benjamin Hein谈到行业变革时表示：“过去半导体领域大概每3‑4年迎来一轮重大技术革新，如今新技术几乎年年涌现。伴随AI产业普及，行业创新节奏进一步提速。这就要求我们不能只聚焦单一元器件性能提升，更要实现材料、工艺与供给设备的系统性整体优化。”

他同时着重阐释了行业供应链的核心逻辑：“半导体产业需要具备全球化视野，更要做到本土化落地。要贴近客户所在地，整合材料与配套技术，输出一体化综合解决方案。” 这也正是默克所推行的“本地服务本地（Local for Local）”战略内核，就近匹配晶圆厂研发、验证到量产的全链条需求，保障先进材料高效稳定供给。

PDMAT材料纯化设备

钼源前驱体材料纯化设备

真空纯化设备系列一四氯化铅材料纯化设备

设备系列一钼源前驱体材料纯化设备

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